產品信息 特點 可在紫外和可見（250至800nm）波長區域中測量橢圓參數 可分析納米級多層薄膜的厚度 可以通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜 通過可變反射角測量，可詳細分析...
產品信息
特點
● 可在紫外和可見（250至800nm）波長區域中測量橢圓參數
● 可分析納米級多層薄膜的厚度
● 可以通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜
● 通過可變反射角測量，可詳細分析薄膜
● 通過創建光學常數數據庫和追加菜單注冊功能，增強操作便利性
● 通過層膜貼合分析的光學常數測量可控制膜厚度/膜質量
測量項目
測量橢圓參數（TANψ，COSΔ）
光學常數（n：折射率，k：消光系數）分析
薄膜厚度分析
用途
半導體晶圓 柵氧化膜，氮化膜 SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe，BPSG，TiN 光學常數（波長色散）
復合半導體 AlxGa（1-x）多層膜、非晶硅
FPD 取向膜 等離子顯示器用ITO、MgO等
各種新材料 DLC（類金剛石碳）、超導薄膜、磁頭薄膜
光學薄膜 TiO2，SiO2多層膜、防反射膜、反射膜
光刻領域 g線（436nm）、h線（405nm）、i線（365nm）和KrF（248nm）等波長的n、k評估
原理
包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上，對于反射光的橢圓偏振光進行測量。s波和p波的位相和振幅獨立變化，可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。