即時(shí)檢測(cè) WAFER基板于研磨制程中的膜厚 玻璃基板于減薄制程中的厚度變化 (強(qiáng)酸環(huán)境中) 產(chǎn)品特色 非接觸式、非破壞性光學(xué)式膜厚檢測(cè) 采用分光干涉法實(shí)現(xiàn)高度檢測(cè)再現(xiàn)性 可進(jìn)行高速...
即時(shí)檢測(cè)
WAFER基板于研磨制程中的膜厚
玻璃基板(強(qiáng)酸環(huán)境中)于減薄制程中的厚度變化
產(chǎn)品特色
● 非接觸式、非破壞性光學(xué)式膜厚檢測(cè) ● 采用分光干涉法實(shí)現(xiàn)高度檢測(cè)再現(xiàn)性 ● 可進(jìn)行高速的即時(shí)研磨檢測(cè) ● 可穿越保護(hù)膜、觀景窗等中間層的檢測(cè) ● 可對(duì)應(yīng)長(zhǎng)工作距離、且容易安裝于產(chǎn)線或者設(shè)備中 ● 體積小、省空間、設(shè)備安裝簡(jiǎn)易 ● 可對(duì)應(yīng)線上檢測(cè)的外部信號(hào)觸發(fā)需求 ● 采用*適合膜厚檢測(cè)的獨(dú)自解析演算法。(已取得**) ● 可自動(dòng)進(jìn)行膜厚分布制圖(選配項(xiàng)目) 規(guī)格